基于PLECS的工具可在將設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)為硬件之前，快速評(píng)估針對(duì)各種電源開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的解決方案

電氣化正在推動(dòng)SiC半導(dǎo)體的增長，由于其具備快速開關(guān)能力、更低的功率損耗和更高的溫度性能，電動(dòng)汽車、可持續(xù)發(fā)展和工業(yè)等大型細(xì)分市場(chǎng)都轉(zhuǎn)向SiC電源解決方案。為了幫助電源設(shè)計(jì)工程師輕松、快速和放心地過渡到SiC電源解決方案，Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）今日宣布推出MPLAB^?SiC電源模擬器，可在將設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)為硬件之前，快速評(píng)估各種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中的Microchip SiC電源器件和模塊。

Microchip的MPLAB SiC電源模擬器是與Plexim合作設(shè)計(jì)的基于PLECS的軟件環(huán)境，提供在線免費(fèi)工具，無需購買模擬許可證。MPLAB SiC電源模擬器加速了各種基于SiC的電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)過程?？蛻艨梢苑判牡卦谠O(shè)計(jì)階段對(duì)SiC解決方案進(jìn)行基準(zhǔn)測(cè)試和評(píng)估。

(資料圖)

Microchip碳化硅業(yè)務(wù)部副總裁Clayton Pillion表示：“追求SiC技術(shù)的客戶現(xiàn)在可以使用基于網(wǎng)絡(luò)的MPLAB SiC電源模擬器，對(duì)設(shè)計(jì)進(jìn)行基準(zhǔn)測(cè)試并選擇最適合的Microchip SiC產(chǎn)品。憑借在碳化硅領(lǐng)域二十多年的深耕，Microchip可為客戶提供多種多樣的SiC電源解決方案，還可以很方便地使用其他Microchip配套器件進(jìn)行設(shè)計(jì)?！?/p>

新工具通過提供全面的SiC評(píng)估，不僅可以提供有價(jià)值的基準(zhǔn)數(shù)據(jù)，還可以減少元件選擇時(shí)間，從而加快產(chǎn)品上市速度。如果一位電源電子設(shè)計(jì)師要在25 mΩ和40 mΩ SiC MOSFET之間選擇三相有源前端轉(zhuǎn)換器，就可以立即得到模擬結(jié)果，如器件的平均功率耗散和峰值結(jié)溫。

MPLAB SiC電源模擬器是OEM廠商為電動(dòng)出行、可持續(xù)發(fā)展和工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)的重要設(shè)計(jì)工具，相關(guān)應(yīng)用包括電動(dòng)汽車、板上/板下充電、電源和電池儲(chǔ)能系統(tǒng)。

Microchip的SiC產(chǎn)品組合包括具有最低寄生電感（<2.9 nH）的行業(yè)領(lǐng)先的電源模塊，以及具有最高額定電流的行業(yè)領(lǐng)先的3.3 kV分立式MOSFET和二極管。組合內(nèi)其他產(chǎn)品還包括700V、1200V和1700V的裸片、分立器件和模塊，以及AgileSwitch?可配置數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)器。

這些SiC器件具有耐用性和優(yōu)異性能，可提供預(yù)計(jì)超過100年的柵極氧化物壽命和無退化體二極管。在大功率應(yīng)用中，SiC技術(shù)比硅絕緣柵雙極晶體管（IGBT）具有更高的系統(tǒng)效率、功率密度和溫度穩(wěn)定性。

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Microchip Technology Inc. 簡介

Microchip Technology Inc.是致力于智能、互聯(lián)和安全的嵌入式控制解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商。其易于使用的開發(fā)工具和豐富的產(chǎn)品組合讓客戶能夠創(chuàng)建最佳設(shè)計(jì)，從而在降低風(fēng)險(xiǎn)的同時(shí)減少系統(tǒng)總成本，縮短上市時(shí)間。Microchip的解決方案為工業(yè)、汽車、消費(fèi)、航天和國防、通信以及計(jì)算市場(chǎng)中12萬多家客戶提供服務(wù)。Microchip總部位于美國亞利桑那州Chandler市，提供出色的技術(shù)支持、可靠的產(chǎn)品交付和卓越的質(zhì)量。詳情請(qǐng)?jiān)L問公司網(wǎng)站www.microchip.com。

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