新一代針對(duì)數(shù)字設(shè)計(jì)占比高的車規(guī)級(jí)工藝

全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，X-FAB成為業(yè)界首家推出110納米BCD-on-SOI解決方案的代工廠，由此加強(qiáng)了其在BCD-on-SOI技術(shù)領(lǐng)域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平臺(tái)反映了模擬應(yīng)用中對(duì)更高數(shù)字集成和處理能力日益增長的需求。其將SOI和DTI極具吸引力的特性結(jié)合在一起，因此與傳統(tǒng)Bulk BCD工藝相比，高密度數(shù)字邏輯和模擬功能可以更容易地集成至單個(gè)芯片。

X-FAB采用首個(gè)110納米BCD-on-SOI技術(shù)實(shí)現(xiàn)下一代汽車應(yīng)用

【資料圖】

通過轉(zhuǎn)移到較低的工藝節(jié)點(diǎn)，X-FAB XT011產(chǎn)品的標(biāo)準(zhǔn)單元庫密度達(dá)到其成熟的XT018 180納米BCD-on-SOI半導(dǎo)體平臺(tái)的兩倍；對(duì)于SONOS嵌入式閃存的實(shí)現(xiàn)，相較于XT018，其面積也減少了35%；此外，超低導(dǎo)通電阻（R_(ds)on）高壓N溝道器件的性能是另一個(gè)重要特性（相比XT018工藝有超過25%的改進(jìn)）。顯著增強(qiáng)的熱性能意味著可以更好地解決大電流應(yīng)用的難題——這點(diǎn)通常與對(duì)Bulk BCD工藝的期望相匹配。

此種全新BCD-on-SOI技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)符合AEC-Q100 Grade 0等級(jí)的設(shè)計(jì)需求，具有高度穩(wěn)健性。其工作溫度范圍為-40℃至175℃，還表現(xiàn)出較高的抗EMI能力。由于沒有寄生雙極效應(yīng)，發(fā)生閂鎖的風(fēng)險(xiǎn)完全消除，從而確保最高程度的操作可靠性。

X-FAB為XT011提供了全面的工藝設(shè)計(jì)套件（PDK）以及廣泛的IP元素，如SRAM、ROM和基于SONOS的閃存和嵌入式EEPROM。因此，客戶將擁有實(shí)現(xiàn)“首次成功（first-time-right）”設(shè)計(jì)所需的所有手段，并將轉(zhuǎn)化為更短的上市時(shí)間。

XT011工藝主要針對(duì)需要更高級(jí)別數(shù)據(jù)處理能力的下一代車載應(yīng)用。此外，它將為現(xiàn)有的工業(yè)和醫(yī)療產(chǎn)品提供通往更小幾何尺寸的路徑。

“X-FAB已經(jīng)作為BCD-on-SOI技術(shù)的首選晶圓廠而廣為人知；此次成為首家過渡至110納米的晶圓廠，進(jìn)一步突出了我們?cè)谶@一領(lǐng)域無與倫比的專業(yè)知識(shí)?！盭-FAB的首席技術(shù)官Joerg Doblaski表示，“通過此新一代車規(guī)級(jí)工藝，我們將為客戶構(gòu)建生產(chǎn)更復(fù)雜且高度集成智能模擬產(chǎn)品所需的堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。”

采用全新XT011 110納米BCD-on-SOI半導(dǎo)體工藝器件將在X-FAB位于巴黎附近的科爾貝-埃索訥（Corbeil-Essonnes）工廠制造。量產(chǎn)將于2023年下半年啟動(dòng)。

縮略語：

BCD?????? Bipolar-CMOS-DMOS

CMOS? ??互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體

DTI???????? 深槽隔離

EDA?????? 電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化

SOI??????? 絕緣體上硅

SONOS? 硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅

X-FAB是領(lǐng)先的模擬/混合信號(hào)和MEMS晶圓代工集團(tuán)，生產(chǎn)用于汽車、工業(yè)、消費(fèi)、醫(yī)療和其它應(yīng)用的硅晶圓。X-FAB采用尺寸范圍從1.0μm至110nm的模塊化CMOS和SOI工藝，及其特色SiC與微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）長壽命工藝，為全球客戶打造最高的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)、卓越的制造工藝和創(chuàng)新的解決方案。X-FAB的模擬數(shù)字集成電路（混合信號(hào)IC）、傳感器MEMS在德國、法國、馬來西亞和美國的六家生產(chǎn)基地生產(chǎn)，并在全球擁有約4,200名員工。www.xfab.com

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