功率半導(dǎo)體是構(gòu)成電力電子轉(zhuǎn)換裝置的核心組件，幾乎進入國民經(jīng)濟各個工業(yè)部門和社會生活的各個方面，電子設(shè)備應(yīng)用場景日益豐富，功率半導(dǎo)體的市場需求也與日俱增。隨著新應(yīng)用場景的出現(xiàn)和發(fā)展，功率半導(dǎo)體的應(yīng)用范圍已從傳統(tǒng)的消費電子、工業(yè)控制、電力傳輸、計算機、軌道交通、新能源等領(lǐng)域，擴展至物聯(lián)網(wǎng)、電動汽車、云計算和大數(shù)據(jù)等新興應(yīng)用領(lǐng)域。

黃山芯微電子股份有限公司（以下簡稱“芯微電子”或“公司”）擬在創(chuàng)業(yè)板上市。公司主要從事功率半導(dǎo)體芯片、器件和材料的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，產(chǎn)品以晶閘管為主，涵蓋 MOSFET、整流二極管和肖特基二極管及上游材料（拋光片、外延片、銅金屬化陶瓷片）。公司產(chǎn)品主要應(yīng)用于工業(yè)控制、消費電子、電力傳輸?shù)阮I(lǐng)域。

公司為大功率晶閘管方形芯片最早國產(chǎn)化廠商之一。21 世紀(jì)初期，功率半導(dǎo)體方形芯片研發(fā)技術(shù)和制造工藝受國外壟斷，國內(nèi)主要以圓形芯片為主，方形芯片未形成批量化生產(chǎn)。在上述產(chǎn)業(yè)背景下，公司于 2004 年研發(fā)出“方片芯片激光造型擴散形成隔離墻新工藝”并取得發(fā)明專利；經(jīng)安徽省科學(xué)技術(shù)廳鑒定并出具《科學(xué)技術(shù)成果鑒定證書》，該工藝解決了方片生產(chǎn)制造中的關(guān)鍵技術(shù)，屬國內(nèi)獨創(chuàng)，技術(shù)領(lǐng)先；成果自我轉(zhuǎn)化后，公司于 2005 年成為少數(shù)大功率晶閘管方形芯片國產(chǎn)化廠商之一。

公司緊跟市場發(fā)展趨勢，在完成 MOSFET 芯片制造技術(shù)研發(fā)后于 2017 年實現(xiàn)量產(chǎn)。在此基礎(chǔ)上，公司研發(fā)出一種具有高開關(guān)速度、低開關(guān)功耗的平面MOSFET，實現(xiàn)了公司 MOSFET 產(chǎn)品的技術(shù)升級，在高壓 MOSFET 市場領(lǐng)域形成了一定的競爭優(yōu)勢。

據(jù)了解，公司本次募集資金投資項目全部在公司的現(xiàn)有主營業(yè)務(wù)的基礎(chǔ)上開展，是結(jié)合未來的市場需求，對公司現(xiàn)有的功率半導(dǎo)體芯片和器件和半導(dǎo)體材料業(yè)務(wù)進行拓展，對現(xiàn)有產(chǎn)品進行升級換代。本次募集資金投資項目的成功實施，一方面能夠擴大公司產(chǎn)能，優(yōu)化產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，滿足日益增長的市場需求，拓展新的市場。另一方面能夠提升公司的技術(shù)水平，維持公司的技術(shù)優(yōu)勢，提高公司產(chǎn)品的工藝和質(zhì)量，贏得更高的市場認(rèn)可度。

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