幾款不錯(cuò)的場(chǎng)效應(yīng)管功放電路圖

本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/201710/367857.htm

場(chǎng)效應(yīng)管多管并聯(lián)輸出，500W。

場(chǎng)管跟普功率最大不同就是場(chǎng)管是用電壓驅(qū)動(dòng)，在驅(qū)動(dòng)級(jí)上有些不一樣，沒(méi)弄過(guò)場(chǎng)管功放，音質(zhì)怎要看你設(shè)計(jì)和工藝！

IRFB33N15D是一顆非常好的MOS管，其導(dǎo)通內(nèi)阻低達(dá)56mΩ，最大電流為33A，耐壓卻有150V，常用于DC/DC的變換器中，當(dāng)然，在數(shù)字功放中，也經(jīng)常應(yīng)用。

其也有不足的地方，其輸入電容為2020pF，和常見(jiàn)的MOS管一樣，在驅(qū)動(dòng)它時(shí)，就要采用特殊電路來(lái)驅(qū)動(dòng)，如同你的電路中的R29和D3并聯(lián)電路，也是業(yè)界慣用手法，其作用是：

當(dāng)沒(méi)有R29時(shí)，Q7的柵極直接接前面的IC引腳，其內(nèi)部都是圖騰柱電路，由于是容性負(fù)載，都會(huì)有振蕩產(chǎn)生，從而使驅(qū)動(dòng)波形出現(xiàn)振鈴現(xiàn)象，產(chǎn)生的后時(shí)是，MOS管開(kāi)啟不夠，內(nèi)阻大，效率低。 串入R29可以消除這種振蕩，其和后續(xù)的MOS管輸入電容（Ciss）的時(shí)間常數(shù)要遠(yuǎn)小于MOS管的開(kāi)啟時(shí)間13ns，而4.7Ω的2020pF的時(shí)間常數(shù)為9.5nS，滿足要求。

IRFB33N15D用標(biāo)準(zhǔn)電路（相當(dāng)于R29為3.6Ω）驅(qū)動(dòng)時(shí)，其恢復(fù)時(shí)間長(zhǎng)達(dá)130nS，這也是MOS管的通病，為了加快關(guān)斷（爭(zhēng)取這9.5nS的時(shí)間），在關(guān)斷時(shí)，希望柵級(jí)電阻為0，所以會(huì)在R29上反向并聯(lián)肖特基二極管D3（其工作頻率可以近GHz），來(lái)加速放電。

IRFB33N15D的VGS在3.0V至5.5V這間，實(shí)際驅(qū)動(dòng)時(shí)，取決于IRS2902S的工作電壓，實(shí)際都在10V左右，肖特基二極管D3的正向壓降只有1.2V左右（電流1A，但其ΔV/ΔI約為0，動(dòng)態(tài)內(nèi)阻極低），已經(jīng)可以確保Q7和柵極處于低于VGS以下，對(duì)關(guān)斷沒(méi)有影響。 另外，你要學(xué)習(xí)動(dòng)態(tài)內(nèi)阻的含義，如同電源，其壓降可能是5V，但其內(nèi)阻可以低達(dá)十幾毫歐。

這個(gè)電路里的2顆場(chǎng)效應(yīng)管不能同時(shí)導(dǎo)通，所以，在它們工作的時(shí)候，要關(guān)斷優(yōu)先，導(dǎo)通稍緩。D3，D4二極管就能夠在驅(qū)動(dòng)電壓下降的時(shí)候，迅速釋放場(chǎng)效應(yīng)管的柵極結(jié)電壓，從而使管子從導(dǎo)通狀態(tài)恢復(fù)到關(guān)斷狀態(tài)的時(shí)間大大縮短。而驅(qū)動(dòng)電壓上升的時(shí)候，要通過(guò)R29，R27給管子的柵極結(jié)電容充電，從而延緩了管子的導(dǎo)通時(shí)間。 就這樣實(shí)現(xiàn)了關(guān)斷優(yōu)先，導(dǎo)通稍緩的功能，大大的避免了一個(gè)管子還沒(méi)退出導(dǎo)通，另一個(gè)管子已經(jīng)進(jìn)入導(dǎo)通的狀態(tài)。

關(guān)鍵詞： 場(chǎng)效應(yīng)管功放電路