導(dǎo)讀：PCM是什么?其實就是變相存儲，初次聽到"相變"這個詞,很多讀者朋友會感到比較陌生吧，想了解更多姿勢的朋友們快來看看吧。

1.PCM是什么--簡介

PCM是Phase Change Memory的簡稱，中文名稱為相變存儲器，它利用硫族化合物在晶態(tài)和非晶態(tài)巨大的導(dǎo)電性差異來存儲數(shù)據(jù)的。PCM是一種非易失存儲設(shè)備，它利用材料的可逆轉(zhuǎn)的相變來存儲信息。同一物質(zhì)可以在諸如固體、液體、氣體、冷凝物和等離子體等狀態(tài)下存在，這些狀態(tài)都稱為相。相變存儲器便是利用特殊材料在不同相間的電阻差異進(jìn)行工作的。

2.PCM是什么--基本構(gòu)成

相變存儲器是一種新興的非易失性計算機(jī)存儲器技術(shù)。它可能在將來代替閃存，因為它不僅比閃存速度快得多，更容易縮小到較小尺寸，而且復(fù)原性更好，能夠?qū)崿F(xiàn)一億次以上的擦寫次數(shù)。相變存儲器主要是由頂部電極、晶態(tài)GST、α/晶態(tài)GST[4]、熱絕緣體、電阻(加熱器)、底部電極組成的。

3.PCM是什么--原理

下圖的原理圖給出了一種典型GST PCM器件的結(jié)構(gòu)。一個電阻連接在GST層的下方。加熱/熔化過程只影響該電阻頂端周圍的一小片區(qū)域。擦除/RESET脈沖施加高電阻即邏輯0，在器件上形成一片非晶層區(qū)域。SET脈沖用于置邏輯1，使非晶層再結(jié)晶回到結(jié)晶態(tài)。晶態(tài)是一種低能態(tài);因此，當(dāng)對非晶態(tài)下的材料加熱，溫度接近結(jié)晶溫度時，它就會自然地轉(zhuǎn)變?yōu)榫B(tài)。

在非晶態(tài)下，GST材料具有短距離的原子能級和較低的自由電子密度，使得其具有較高的電阻率。由于這種狀態(tài)通常出現(xiàn)在RESET操作之后，我們一般稱其為RESET狀態(tài)，在RESET操作中DUT的溫度上升到略高于熔點溫度，然后突然對GST淬火將其冷卻。

在晶態(tài)下，GST材料具有長距離的原子能級和較高的自由電子密度，從而具有較低的電阻率。一般稱其為SET狀態(tài)，在SET操作中，材料的溫度上升高于再結(jié)晶溫度但是低于熔點溫度，然后緩慢冷卻使得晶粒形成整層。晶態(tài)的電阻范圍通常從1千歐到10千歐。

4.PCM是什么--測量技術(shù)

變相存儲器由于具有能耗低、讀寫速度快及儲存密度高等優(yōu)點，被認(rèn)為是最有希望替代閃存的下一代非揮發(fā)性存儲技術(shù)，近些年已經(jīng)成為國際上關(guān)注的熱點。變相存儲駐澳有兩項測量技術(shù)：

1.相變存儲器(PCM)器件進(jìn)行特征分析的脈沖需求

我們必須仔細(xì)選擇所用RESET和SET脈沖的電壓和電流大小 ，以產(chǎn)生所需的熔化和再結(jié)晶過程。RESET脈沖應(yīng)該將溫度上升到恰好高于熔點，然后使材料迅速冷卻形成非晶態(tài)。SET脈沖應(yīng)該將溫度上升到恰好高于再結(jié)晶溫度但是低于熔點，然后通過較長的時間冷卻它;因此，SET脈沖的脈寬和下降時間應(yīng)該比RESET脈沖長。

2、標(biāo)準(zhǔn)的R負(fù)載測量技術(shù)

在標(biāo)準(zhǔn)R負(fù)載測量技術(shù)中，一個電阻與DUT串聯(lián)，通過測量負(fù)載電阻上的電壓就可以測出流過DUT的電流。采用有源、高阻抗探針和示波器 記錄負(fù)載電阻上的電壓。流過DUT的電流等于施加的電壓減去器件上的電壓，再除以負(fù)載電阻。負(fù)載電阻的大小范圍通常從1千歐到3千歐。

拓展閱讀：

1.某探測器測試與信號處理系統(tǒng)的PCM信息采集

2.基于LVDS接口的PC M解碼板設(shè)計

3.相變存儲器(PCM)與存儲器技術(shù)簡介

關(guān)鍵詞： PCM 相變存儲器 PCM是什么