張汝京:美國(guó)對(duì)中國(guó)制約的能力沒有那么強(qiáng)
“如果中國(guó)在5G技術(shù)上保持領(lǐng)先,將來在通訊、人工智能、云端服務(wù)等等,中國(guó)都會(huì)大大超前,因?yàn)橹袊?guó)在高科技應(yīng)用領(lǐng)域是很強(qiáng)的?!?/strong>
本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202008/416708.htm“美國(guó)如果公平競(jìng)爭(zhēng)贏不了,它就會(huì)采取行政的方式,1980年代對(duì)日本做了一次,2018年開始,又開始對(duì)5G進(jìn)行制約,但是這次它的對(duì)手不再是日本。美國(guó)對(duì)中國(guó)制約的能力沒有那么強(qiáng),但是我們不能掉以輕心?!?/strong>
“第三代半導(dǎo)體有一個(gè)特點(diǎn),它不是摩爾定律,是后摩爾定律,它的線寬都不是很小的,設(shè)備也不是特別的貴,但是它的材料不容易做,設(shè)計(jì)上要有優(yōu)勢(shì)?!?/strong>
“第三代半導(dǎo)體,IDM開始現(xiàn)在是主流,但是Foundry照樣有機(jī)會(huì),但是需要設(shè)計(jì)公司找到一個(gè)可以長(zhǎng)期合作的Foundry?!?/strong>
“有的地方我們中國(guó)是很強(qiáng)的,比如說封裝、測(cè)試這一塊很強(qiáng)。至于設(shè)備上面,光刻機(jī)什么,我們是差距很大的。如果我們專門看三代半導(dǎo)體的材料、生產(chǎn)制造、設(shè)計(jì)等等。我們?cè)诓牧仙厦娴牟罹?,我個(gè)人覺得不是很大了?!?/strong>
“要考慮短時(shí)間之內(nèi)人才基礎(chǔ),這是我們一個(gè)弱點(diǎn),基礎(chǔ)可能做了,但是基礎(chǔ)跟應(yīng)用之間有一個(gè)gap,怎么去把它縮短?歐美公司做得比較好一點(diǎn),我們就借用他們的長(zhǎng)處來學(xué)習(xí)?!?/strong>
“個(gè)人覺得第三階段,如果只是有了材料,有了外延片,來做這個(gè)器件,如果我們用一個(gè)6寸來做,投資就看你要做多大,大概最少20億多,到了六七十億規(guī)模都可以賺錢的。這是做第三段。 如果第二段要做Epi(外延片)投資也不大,相對(duì)應(yīng)的 Epi廠投資,大概只要不到10億就起來了?!?/strong>
以上,是原中芯國(guó)際創(chuàng)始人兼CEO、上海新昇總經(jīng)理,現(xiàn)芯恩(青島)創(chuàng)始人兼董事長(zhǎng)張汝京,今天在中信建投證券和金沙江資本舉辦的萬得3C會(huì)議線上直播中,分享的最新精彩觀點(diǎn)。
“中國(guó)第三代半導(dǎo)體發(fā)展機(jī)遇交流峰會(huì)”由【中信建投證券研究所】和【金沙江資本】共同主辦。在主辦方精心籌備之下,邀請(qǐng)到了半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)<液屯顿Y大咖參會(huì),中芯國(guó)際創(chuàng)始人張汝京博士受邀出席并擔(dān)任發(fā)言嘉賓,與會(huì)的嘉賓還有金沙江資本創(chuàng)始人及董事局主席伍伸俊、資產(chǎn)管理公司TPG(德太投資)中國(guó)區(qū)管理合伙人孫強(qiáng)、絲路規(guī)劃研究中心副主席,瑞信集團(tuán)董事會(huì)成員&絲路金融有限公司首席執(zhí)行官李山。
此次會(huì)議為半導(dǎo)體發(fā)展機(jī)遇交流系列會(huì)議第一期,【中信建投證券研究所】和【金沙江資本】后續(xù)還將針對(duì)半導(dǎo)體領(lǐng)域舉辦更多線上和線下活動(dòng)。歡迎關(guān)注!
張汝京平時(shí)很少公開發(fā)聲,關(guān)于張汝京和剛在科創(chuàng)板上市的中芯國(guó)際的故事,可點(diǎn)此查看。中芯國(guó)際今日申購(gòu),傳奇創(chuàng)始人張汝京三進(jìn)三出締造中國(guó)硬實(shí)力,能成為中國(guó)的德州儀器嗎|聰明投資者
在這次難得的分享中,他介紹了第一到第三代半導(dǎo)體,問答環(huán)節(jié)中,張汝京結(jié)合當(dāng)下中美之間的背景,分享了對(duì)半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)替代的看法、第三代半導(dǎo)體可能的發(fā)展模式,以及在半導(dǎo)體細(xì)分的各個(gè)產(chǎn)業(yè)里,中國(guó)與國(guó)外的差距及優(yōu)勢(shì)。
聰明投資者整理了張汝京的演講和問答精彩內(nèi)容,分享給大家。
第一到第三代半導(dǎo)體
我跟大家討論一下第一到第三代半導(dǎo)體的科普。
第一代的半導(dǎo)體材料,最早用的是鍺(germanium),后來再?gòu)逆N變成了硅(silicon),因?yàn)楣璧漠a(chǎn)量多,技術(shù)開發(fā)的也很好,所以基本上已經(jīng)完全取代了鍺。
但是到了40納米以下,鍺的應(yīng)用又出現(xiàn)了,鍺硅通道可以讓電子流速度很快。
所以第一代的半導(dǎo)體材料中,硅是最常用的?,F(xiàn)在用的鍺硅在特殊的通道材料里會(huì)用到,將來會(huì)涉及到碳的應(yīng)用,這都是后話。
這些材料在元素周期表里都是4價(jià)的,IV A組的碳、硅、鍺、錫、鉛,都屬于第一代。
第二代是使用復(fù)合物的,the compound semiconductor material(復(fù)合半導(dǎo)體材料)。我們常用的是砷化鎵(gallium arsenide)或者磷化銦(indium phosphide)這一類材料,這些可以用在功放領(lǐng)域,早期它速度比較快。
但是因?yàn)樯椋╝rsenide)含劇毒,所以現(xiàn)在很多地方都禁止使用,所以砷化鎵的應(yīng)用還是局限在高速的功放功率領(lǐng)域。
而磷化銦則可以用來做發(fā)光器件,比如說LED里面都可以用到。
到了第三代,更好的化合物材料出現(xiàn)了,包括碳化硅(silicon carbon)、氮化鎵、氮化鋁等等,這些都是3、5族的元素化和形成的。
碳化硅在高電壓、大功率等領(lǐng)域有著特別的優(yōu)勢(shì);氮化鎵的轉(zhuǎn)換頻率(switching frequency)可以很高,所以常被用在高頻功放器件領(lǐng)域;氮化鋁用于特殊領(lǐng)域,民用會(huì)涉及得比較少。
另外還有一些半導(dǎo)體是比較特別的,不知道該歸入第幾代,時(shí)間上它們是貫穿第二、第三代。
主要集中在2、6族的元素,是由周期表中排在II B和VI A的元素化合形成的,比如銻化鎘(CdTe)、銻化汞(HgTe)或是碲鎘汞(HgCdTe)等等。
這些材料的用途非常的特別,工藝也比較復(fù)雜,基本上民間很少用到它,但它們也還屬于半導(dǎo)體的范疇。
以上就是關(guān)于三代半導(dǎo)體材料的簡(jiǎn)要介紹,一會(huì)兒討論的時(shí)候,我們可以盡量討論一些細(xì)節(jié)。
對(duì)話部分
美國(guó)對(duì)中國(guó)制約的能力沒有那么強(qiáng)
碳化硅生產(chǎn)的三個(gè)階段都可能遇到瓶頸
問:從2018年中興,包括2019年華為被美國(guó)納入實(shí)體名單以來,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最熱的兩個(gè)概念就是國(guó)產(chǎn)替代和彎道超車。兩年來,整個(gè)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨著美國(guó)的各個(gè)層面的封鎖,請(qǐng)問你如何看待中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的所謂國(guó)產(chǎn)替代和彎道超車?
張汝京:我常常不太了解為什么要彎道超車,直道就不能超車嗎?
其實(shí)隨時(shí)都可以超車,彎道超車不是捷徑,反而是耗時(shí)費(fèi)力的方法,這是我的看法。
目前,美國(guó)對(duì)中國(guó)的高科技產(chǎn)業(yè)有很多限制,但這不是從現(xiàn)在才開始的。
早在2000年之前,就已經(jīng)出現(xiàn)所謂巴黎統(tǒng)籌委員會(huì)(簡(jiǎn)稱“巴統(tǒng)”,于1994年解散),也是一個(gè)國(guó)際間的技術(shù)封鎖。
最近出現(xiàn)的就是《瓦森納協(xié)定》,都是對(duì)某一些國(guó)家實(shí)行高科技技術(shù)、材料和設(shè)備等的禁運(yùn)。
2000年,我們回到大陸建Foundry廠的時(shí)候,這些限制都還存在,但小布什政府對(duì)于中國(guó)還是比較支持的,他任期內(nèi)逐漸開放了一些限制。
我們當(dāng)時(shí)在中芯國(guó)際從0.18微米級(jí)別的技術(shù)、設(shè)備和產(chǎn)品要引入中國(guó)大陸,都要去申請(qǐng)?jiān)S可。
0.18微米、0.13微米我們都去美國(guó)申請(qǐng)了,而且得到美國(guó)政府4個(gè)部門的會(huì)簽,包括美國(guó)國(guó)務(wù)院、商務(wù)部、國(guó)防部和能源部。
能源部比較特殊,它是怕我們做原子彈之類的武器,但我們不做,所以能源部通常都會(huì)很快的去通過。
所以這個(gè)限制是一直存在的,但是2000年以后逐漸的減少了,我們就從0.18微米一直到90納米、65納米,45納米都能申請(qǐng)獲批。
而且45納米的技術(shù)還是從IBM轉(zhuǎn)讓來的,這在當(dāng)時(shí)是相當(dāng)先進(jìn)的。此后,我們又申請(qǐng)到了32納米——這個(gè)制程可以延伸到28納米。
之后我本人就離開了中芯國(guó)際,后面可能就沒有繼續(xù)申請(qǐng)28納米以下的技術(shù),但也可能不需要了。
總之,對(duì)于設(shè)備的限制等等,各個(gè)美國(guó)總統(tǒng)會(huì)定出不同的策略,特朗普對(duì)中國(guó)定的策略是最嚴(yán)苛的。
早期美國(guó)商務(wù)部是很支持我們的,國(guó)防部會(huì)有很多意見,但是經(jīng)過4個(gè)部委討論通過以后也都通過了。
但這次最大的阻力卻來自美國(guó)商務(wù)部,這主要是因?yàn)槊绹?guó)在5G技術(shù)上落后了,所以它就希望中國(guó)在5G領(lǐng)域的發(fā)展腳步放慢,這種限制也有過先例。
1980年代的時(shí)候,我們?cè)诿绹?guó)生產(chǎn)存儲(chǔ)器,當(dāng)時(shí)日本存儲(chǔ)器技術(shù)在技術(shù)、設(shè)計(jì)和良率都比美國(guó)先進(jìn)很多,于是美國(guó)就開始限制日本,后來還逼日本簽下《廣場(chǎng)協(xié)定》。
結(jié)果大家也看到,日本根本抵擋不了美國(guó)的壓力,存儲(chǔ)器行業(yè)幾乎消亡,只有一兩家還能茍延殘喘。
在邏輯方面,日本本來就沒有特別的優(yōu)勢(shì),至今也不算領(lǐng)先,這方面中國(guó)大陸可能都比日本強(qiáng)。
但是日本領(lǐng)先的是模擬(analog)和數(shù)?;旌?,在汽車、高鐵這些領(lǐng)域的元器件日本做的是不錯(cuò)的。
當(dāng)時(shí),受到美國(guó)的影響,日本各方面都受到了很大制約,發(fā)展速度就放緩了。
但日本也并沒有停下腳步,而是潛心鉆研材料和設(shè)備,所以它在這幾方面還是十分領(lǐng)先。
譬如說現(xiàn)在全世界大概51%的300毫米大硅片,都產(chǎn)自日本信越和松口這兩家公司。
日本在光刻膠、特殊的化學(xué)品和材料等領(lǐng)域都是領(lǐng)先的。
設(shè)備方面,日本的光刻機(jī)也是很領(lǐng)先,其他的基礎(chǔ)設(shè)備也都能自主生產(chǎn),比如擴(kuò)散爐、LPC單片機(jī)等。
但總的來說,美國(guó)對(duì)日本技術(shù)限制之后,日本的設(shè)備,尤其是存儲(chǔ)器領(lǐng)域,還是受到很大打擊。
然而,這次美國(guó)發(fā)現(xiàn)中國(guó)對(duì)其造成很大的競(jìng)爭(zhēng)壓力時(shí),美國(guó)的行政負(fù)責(zé)人,就開始要打擊和制約以5G通訊為主的中國(guó)技術(shù)。
如果中國(guó)在5G技術(shù)上保持領(lǐng)先,將來在通訊、人工智能、云端服務(wù)等等,中國(guó)都會(huì)大大超前,因?yàn)橹袊?guó)在高科技應(yīng)用領(lǐng)域是很強(qiáng)的。
最近鬧得沸沸揚(yáng)揚(yáng)的抖音,它比美國(guó)的Facebook要好得多,同樣是社交網(wǎng)站,抖音有很多有趣的功能,一下子就在美國(guó)受到很多年輕人的喜歡。
當(dāng)然也可以看到Facebook的負(fù)責(zé)人說話很酸,說中國(guó)如何如何不好,這都是出于嫉妒的心理。
美國(guó)如果公平競(jìng)爭(zhēng)贏不了,它就會(huì)采取行政的方式。
1980年代對(duì)日本做了一次,2018年開始,又開始對(duì)5G進(jìn)行制約,但是這次它的對(duì)手不再是日本。美國(guó)對(duì)中國(guó)制約的能力沒有那么強(qiáng),但是我們不能掉以輕心。
5G領(lǐng)域常常會(huì)用到第三代半導(dǎo)體材料,比如說5G的高頻芯片用的材料是氮化鎵。
這種材料的頻率非常高,也可以耐高壓高溫。又比如無人駕駛汽車、或大功率的充電樁都會(huì)用到碳化硅,這些材料美國(guó)都會(huì)對(duì)中國(guó)采取禁運(yùn)措施。
今天武總跟我提到,第三代半導(dǎo)體材料的應(yīng)用會(huì)以碳化硅為重點(diǎn),我就說多跟大家討論一下碳化硅。
這是一個(gè)非常好的材料,但它生產(chǎn)的三個(gè)階段都是可能遇到瓶頸的地方:
一是材料,碳化硅的單晶,早期2到4寸用了很久,現(xiàn)在是6到8寸也出來了,當(dāng)然用到最多的還是4寸和6寸,原料本身就是很重要的資源;
第二階段是生產(chǎn)外延片,這也涉及到特別的技術(shù),對(duì)最終元器件成品的質(zhì)量至關(guān)重要;
第三階段就是去生產(chǎn)各種功率的半導(dǎo)體,這些半導(dǎo)體的用途就很廣泛了。
其中使用最多的是新能源汽車和動(dòng)車?yán)锏母吖β势骷?,電壓超過3000伏,最好用碳化硅來做。但這個(gè)材料制造的環(huán)節(jié),中國(guó)的技術(shù)相對(duì)比較弱。
第三代半導(dǎo)體的發(fā)展規(guī)律?
IDM模式現(xiàn)在是主流
問:怎么看待第三代半導(dǎo)體,它會(huì)以什么樣的規(guī)律去發(fā)展?第三代半導(dǎo)體未來的發(fā)展模式會(huì)是以IDM為主,還是說也是Design House(第三方設(shè)計(jì))加Foundry(代工)這種模式占主導(dǎo)。
張汝京:半導(dǎo)體這個(gè)行業(yè)要長(zhǎng)期投入,從業(yè)人員也要耐得住寂寞,經(jīng)驗(yàn)是逐漸累積起來的,和網(wǎng)絡(luò)電商這些不一樣。
那些東西可以很短的時(shí)間有一個(gè)好的想法,就可以一下起來,投資人也愿意把錢投到那邊去。
但是第三代半導(dǎo)體有一個(gè)特點(diǎn),它不是摩爾定律,是后摩爾定律,它的線寬都不是很小的,設(shè)備也不是特別的貴,但是它的材料不容易做,設(shè)計(jì)上要有優(yōu)勢(shì)。
它投資也不是很大。所以如果出現(xiàn)了,第一,有沒有市場(chǎng)?有;有沒有人愿意投?可能有些人愿意,因?yàn)椴皇呛艽蟮耐顿Y,回報(bào)率看起來也都不錯(cuò);政府支持嗎?政府支持;有沒有好的團(tuán)隊(duì)?這個(gè)是一個(gè)大問題;人才夠嗎?這是一個(gè)問題,真正有經(jīng)驗(yàn)的人在我們國(guó)內(nèi)是不夠的。
所以第三代半導(dǎo)體,就拿碳化硅來講,好的產(chǎn)品市場(chǎng)非常大,因?yàn)樾履茉窜嚴(yán)锩嬉煤芏唷?/strong>
舉個(gè)例子,特斯拉的Model 3就用到了碳化硅,silicon carbon(碳化硅)的功率器模組。
這些模組是誰做的呢?
是意法半導(dǎo)體,最近它也開始向英飛凌買一些,它基本上是這兩家提供的,而這兩家基本上都是 IDM公司,它做得很好。
看起來第三代半導(dǎo)體里面大的這些都是IDM公司,因?yàn)樗鼜念^到尾產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)且患邑?fù)責(zé),做出來可能效率會(huì)比較高。
但是也有Foundry,有的人在日本,有人做Epi(外延片)做得不錯(cuò),在我們中國(guó)最早的單晶的襯底片不一定自己做的,但是上面外延片自己做。
做了以后,有一些設(shè)計(jì)公司設(shè)計(jì)好了以后,在不同的Foundry里去流片,這種碳化硅的Foundry,日本有,臺(tái)灣地區(qū)有,韓國(guó)也有,所以也有這種分工合作的情景。
我們中國(guó)大陸也有人想這樣做,所以我個(gè)人覺得第三代半導(dǎo)體,IDM開始現(xiàn)在是主流,但是Foundry照樣有機(jī)會(huì),但是需要設(shè)計(jì)公司找到一個(gè)可以長(zhǎng)期合作的Foundry。
我個(gè)人覺得這是一個(gè)好機(jī)會(huì)。
如果資本市場(chǎng)愿意投入,這個(gè)所需的資本跟做先進(jìn)的邏輯平臺(tái)差太多倍了。投資并不是很多就可以做,重點(diǎn)是人才。
這些人才,我們國(guó)內(nèi)現(xiàn)在不太夠的,但美國(guó)有,有些人還是愿意來大陸來做,日本有一些不一定方便來。
韓國(guó)有、臺(tái)灣地區(qū)有,我們中國(guó)大陸自己也有些研究機(jī)構(gòu)做得不錯(cuò),如果這些人愿意進(jìn)到產(chǎn)業(yè)界來,這也是很好。
我個(gè)人覺得韓國(guó)三星就做得不錯(cuò)。剛剛有幾位朋友提到三星為什么做得好呢?
他就是一個(gè)IDM,它財(cái)力雄厚,而且它眼光很遠(yuǎn)的。雖然國(guó)內(nèi)的市場(chǎng)不大,但是它曉得它一定要掌握技術(shù),所以很早以來中國(guó)三星不但是開發(fā)材料,做設(shè)備,把各式各樣的產(chǎn)業(yè)從頭做到尾。
如果有一天它受到制約,這個(gè)不給它,那個(gè)不給它,基本上除了光刻機(jī)以外,它都可以活命的。
基本上第一到第三代的半導(dǎo)體產(chǎn)品,它都能夠生產(chǎn),而且具有很大的競(jìng)爭(zhēng)力。
在臺(tái)灣是有一家有能力做到三星的,這一家它在技術(shù)上非常領(lǐng)先,但是除了技術(shù)以外,基本上對(duì)材料、設(shè)備不太去發(fā)展。
因?yàn)樗鼈冇X得不會(huì)被海外的市場(chǎng)卡脖子,所以它覺得沒有必要做這個(gè)事情。再加上它們的領(lǐng)導(dǎo)喜歡focus在他專業(yè)上面,其它他不去碰,所以有很好的機(jī)會(huì),但是沒有發(fā)展出產(chǎn)業(yè)鏈。
我們中國(guó)大陸就不一樣,可能會(huì)被卡脖子的,所以一定要自己把這些技術(shù)開發(fā)出來。
我再?gòu)?qiáng)調(diào)一下,第三代半導(dǎo)體投資并不是很大,重點(diǎn)是人才,IDM我個(gè)人覺得是不錯(cuò),用分工Foundry合作的方式也可行。
希望投資界的人多注意關(guān)懷,給予適當(dāng)?shù)闹С帧N以購(gòu)?qiáng)調(diào)一下,投資的錢比做一個(gè)先進(jìn)的邏輯平臺(tái)要少太多。
投資金額看對(duì)應(yīng)階段
10億,20億起步
問:能不能有一個(gè)大概的量化,投資的錢要比先進(jìn)的廠少太多,到底大概區(qū)間是多少錢呢?能夠有一個(gè)像樣的規(guī)模。
張汝京:像樣的規(guī)模,我個(gè)人覺得第三階段,如果只是有了材料,有了外延片,來做這個(gè)器件,如果我們用一個(gè)6寸來做,投資就看你要做多大,大概最少20億多,到了六七十億規(guī)模都可以賺錢的。這是做第三段。
如果第二段要做Epi(外延片)投資也不大,相對(duì)應(yīng)的 Epi廠投資,大概只要不到10億就起來了。
設(shè)備也不難,技術(shù)要注意,原材料我們中國(guó)山東的天岳、芯成這些都是不錯(cuò)的。這些廠材料就是看你要做多大,這些爐子基本上都已經(jīng)可以國(guó)產(chǎn)化,而且做得也不差。
否則你要向日本、德國(guó)買都買得到,也都不貴。我估計(jì)相對(duì)應(yīng)的一個(gè)工廠,廠房土地不算,設(shè)備大概10億到20億人民幣也就起家了,以后做得越好再增加。所以并不是很大。
封裝、測(cè)試這一塊我們中國(guó)很強(qiáng)
設(shè)備上面和別人差距很大
問:作為中芯國(guó)際的創(chuàng)始人,你在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域有非常了不起的建樹,也見證了過去幾十年本土半導(dǎo)體制造發(fā)展。目前我們相比20年前取得了一定的進(jìn)步,你如何看待過去的一段時(shí)間的進(jìn)步?我們?cè)谶@個(gè)領(lǐng)域跟海外的公司還是有一定的差距,你如何看待差距?在這個(gè)領(lǐng)域,特別是在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域,如何破局?
張汝京:我覺得差距范圍太廣了,有的地方我們中國(guó)是很強(qiáng)的,比如說封裝、測(cè)試這一塊很強(qiáng),至于設(shè)備上面,光刻機(jī)什么,我們是差距很大的。
如果我們專門看三代半導(dǎo)體的材料、生產(chǎn)制造、設(shè)計(jì)等等。我們?cè)诓牧仙厦娴牟罹啵覀€(gè)人覺得不是很大了。
兩年多前,我去參觀過我們國(guó)內(nèi)的幾個(gè)做silicon carbon(碳化硅)單晶的公司,那時(shí)候我看到的數(shù)據(jù)跟海外差距比較大。
但讓我很驚訝的,在過去兩年多時(shí)間里,他們進(jìn)步非常的大,在材料上面,4寸的基本上做得跟海外很接近,差距不大了,6寸還是有點(diǎn)差距,但是假以時(shí)日也跟得上來,這是做材料。
外延片,完全在技術(shù)上的,設(shè)備也買得到,這個(gè)差距很快可以縮短。
至于說第三段,設(shè)計(jì)都不是很難的。它有很多是經(jīng)驗(yàn)的累積,生產(chǎn)制造的設(shè)備并不需要那么先進(jìn),但是功率上面要很小心,否則做出來的效果就跟人家不一樣。
效果的差距比較大,所以重點(diǎn)還是在功率上面設(shè)計(jì)的配合要做的好。
因?yàn)閲?guó)內(nèi)目前還沒有真正的一家大一點(diǎn)的公司出來做,我還不知道有哪一家是有個(gè)很強(qiáng)的團(tuán)隊(duì)在開發(fā)這個(gè)。
所以目前做出來的產(chǎn)品功率碳化硅,只做功率上面可能比較容易追,但是做到射頻上面用的氮化鎵。
做射頻,目前海外最強(qiáng)的,比如說日本的TDK跟村田這些都很強(qiáng),我們跟這些有一些差距,但是也有一些新的公司,從海外回來的人才,在開發(fā)這種5G射頻里面用氮化鎵來做的,不錯(cuò)。
請(qǐng)大家注意一下,剛剛我忘記是哪一位提到說,有很多小公司、新的公司做得是不錯(cuò)的,比如說在美國(guó)加州一個(gè)小公司叫納維塔斯,不曉得有沒有被人家買掉,前一段時(shí)間我看他們做的是不錯(cuò)的。法國(guó)也有一家公司被ST、Micron買了。
剛剛也提到,以色列還是有很多好公司可以去考慮的,因?yàn)檫@種主要是人才,這個(gè)人才也不需要很多,幾個(gè)好手來了,把我們這邊的年輕人教會(huì),我們幾乎可以并駕齊驅(qū)。
要考慮短時(shí)間之內(nèi)人才基礎(chǔ),這是我們一個(gè)弱點(diǎn),基礎(chǔ)可能做了,但是基礎(chǔ)跟應(yīng)用之間有一個(gè)gap,怎么去把它縮短?歐美公司做得比較好一點(diǎn),我們就借用他們的長(zhǎng)處來學(xué)習(xí)。
所以我感覺差距不是那么大,沒有邏輯差得這么大,也沒有存儲(chǔ)器差距這么大,可以追得上的。
下決心找到合適的團(tuán)隊(duì)。做這個(gè)行業(yè)里面是很寂寞,艱苦的,要有很強(qiáng)的信仰的力量來支撐我們,我們就可以把它做出來。所以我是樂觀,相信我們追得上。
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